硅 硅产生于卓科拉尔斯基拉单晶技术（CZ）并且包含一些形成9纳米吸收带的物质。为了避免这种情况，材料可以通过浮动区域精炼法提纯。光学硅通常含有轻微的杂质（5-40 ohm cm）以获得超过10微米的传输，所选用的杂质一般是硼(p-type)或者磷(n-type)。经过掺杂处理后的硅可以得到更宽泛的传输范围：30-100微米。
CZ 硅通常用于红外反射镜的感光底层材料或者1.5-8微米范围内的窗口镜。由于在9微米处存在强大的吸收带，因此不适合Co2激光的传输应用，但由于其高热传导率和低密度的特性，所以被频繁的用作激光镜。作为窗口镜的应用，镜头在1.5-8μm范围内；作为激光镜则一般用作Co2激光或者分光计。
硅的光学等级
CZ, P type 掺杂硼, <111> or <100>, 电阻系数 5-40 ohm cm
FZ, N type 掺杂磷, <111>, 电阻系数 > 50, 更适合 > 500 ohm cm,在9微米处不存在吸收现象。 |
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主要物理性能：
| 密度 |
2.33g/cm3 |
| 硬度, Mohs |
7 |
| 介电常数 for 9.37 x 109Hz |
13 |
| 熔点, °C |
1414 °C |
| 导热性, W/m·K at 313 K |
163 |
| 热膨胀，1/K at 293 K |
2.6x10-6 |
| 比热, J(kg·°C) |
712.8 |
| 能带系, eV |
1.1 |
| 努氏硬度, kg/mm2 |
1100 |
| 杨氏系数, Gpa |
130.91 |
| 剪切弹性系数, Gpa |
79.92 |
| 体积模量, Gpa |
101.97 |
| 德拜温度, K |
640 |
| 柏松比 |
0.28 |
| 尺寸（(mm) |
<=300mm |
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